ROHM RU1C001ZP P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 100 mA 200 mW, 3-Pin SC-85
- RS Best.-Nr.:
- 177-6793
- Herst. Teile-Nr.:
- RU1C001ZPTL
- Marke:
- ROHM
Nicht verfügbar
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- RU1C001ZPTL
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 100 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Serie | RU1C001ZP | |
| Gehäusegröße | SC-85 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 40 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.3V | |
| Verlustleistung max. | 200 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | 10 V | |
| Breite | 1.35mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 2.1mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 2,2 nC @ 4,5 V | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 100 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Serie RU1C001ZP | ||
Gehäusegröße SC-85 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 40 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.3V | ||
Verlustleistung max. 200 mW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. 10 V | ||
Breite 1.35mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 2.1mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 2,2 nC @ 4,5 V | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Höhe 0.95mm | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- TH
MOSFETs werden als Geräte mit extrem niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand durch die Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt und eignen sich als mobile Ausrüstung für geringen Stromverbrauch. Großes Angebot an kompakten Typen, Hochleistungs-Typen und komplexen Typen, um den unterschiedlichen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.
Antriebstyp mit niedrige Spannung (1,2V)
P-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
Kleines SMD-Gehäuse
Bleifrei
P-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
Kleines SMD-Gehäuse
Bleifrei