ROHM RS1E301GN N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 80 A 33 W, 8-Pin HSOP

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RS Best.-Nr.:
177-6814
Herst. Teile-Nr.:
RS1E301GNTB1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

80 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

HSOP

Serie

RS1E301GN

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

2,2 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.5V

Gate-Schwellenspannung min.

1.2V

Verlustleistung max.

33 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

5.8mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

39,8 nC @ 10 V

Länge

5mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

1.05mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

RoHS Status: Nicht zutreffend

Ursprungsland:
TH
Der RS1E301GN ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Betriebswiderstand und Hochleistungsgehäuse und für Schaltanwendungen geeignet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Hochleistungsgehäuse (HSOP8)
Bleifreie Leitungsbeschichtung
Halogenfrei