Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 1.9 A 25 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
177-7564
Herst. Teile-Nr.:
IRFR9210TRPBF
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

1.9 A

Drain-Source-Spannung max.

200 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

3 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

25 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

6.22mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

8.9 nC @ 10 V

Länge

6.73mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

2.38mm

The Vishay power MOSFETs technology is the key to advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of the Power MOSFET design achieve very low on-state resistance combined with high transconductance and extreme device ruggedness.

Dynamic dV/dt rating
Repetitive avalanche rated
Fast switching