Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 1.9 A 25 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
177-7564
Herst. Teile-Nr.:
IRFR9210TRPBF
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

1.9 A

Drain-Source-Spannung max.

200 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

3 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

25 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

6.22mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

8.9 nC @ 10 V

Länge

6.73mm

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

2.38mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

The Vishay power MOSFETs technology is the key to advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of the Power MOSFET design achieve very low on-state resistance combined with high transconductance and extreme device ruggedness.

Dynamic dV/dt rating
Repetitive avalanche rated
Fast switching