Vishay IRFL210 N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 200 V / 960 mA 3.1 W, 4-Pin SOT-223

RS Best.-Nr.:: 177-7608
Herst. Teile-Nr.:: IRFL210TRPBF
Marke:: Vishay

Vishay IRFL210 N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 200 V / 960 mA 3.1 W, 4-Pin SOT-223

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RS Best.-Nr.:: 177-7608
Herst. Teile-Nr.:: IRFL210TRPBF
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	960mA
	Drain-Source-Spannung Vds max.	200V
	Gehäusegröße	SOT-223
	Serie	IRFL210
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	4
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.5Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	8.2nC
	Maximale Verlustleistung Pd	3.1W
	Gate-Source-spannung max Vgs	-20V, +20V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	6.7mm
	Höhe	1.8mm
	Breite	3.7mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 960mA
	Drain-Source-Spannung Vds max. 200V
	Gehäusegröße SOT-223
	Serie IRFL210
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 4
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.5Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.2nC
	Maximale Verlustleistung Pd 3.1W
	Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 6.7mm
	Höhe 1.8mm
	Breite 3.7mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

IRFL210, SiHFL210, Power MOSFET

Leistungs-MOSFET der Serie IRFL210 von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung von 200 V, maximale Verlustleistung von 3,1 W – IRFL210TRPBF

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für oberflächenmontierte Leistungsschaltvorgänge in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Umgebungsbereich und eignet sich für Aufgaben, die kontrollierte Ableitströme und gate-gesteuerte Schaltvorgänge erfordern, mit einem Gehäuse, das die Montage auf gelöteten Leiterplatten unterstützt.

Merkmale und Vorteile:

• Der Ablasswert von 200 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 1.5 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste in Schwachstromkreisen
• 8.2 nC typische Gate-Ladung unterstützt moderate Schaltgeschwindigkeiten
• Kontinuierliche Ablassleistung von 960 mA für eine dauerhafte Stromversorgung
• Gate-Toleranz von ±20 V ermöglicht robuste Gate-Drive-Margen
• RoHS-Konformität gewährleistet die Einhaltung eingeschränkter Stoffe bei der Herstellung

Anwendungen

• Geeignet für das Schalten auf der Sekundärseite der Stromversorgung
• Ideal für die Signal- und Stufenschaltung von Motorsteuerungen
• Verwendung mit kleinen Beleuchtungstreibern und LED-Regelung
• Kann für industrielle Steuerschnittstellen verwendet werden
• Geeignet für Batteriemanagement-Schaltvorgänge mit geringem Stromverbrauch

Welchem thermischen Bereich kann das Gerät im Betrieb standhalten?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit industriellen Temperaturen.

Welche Verpackung sollte für die Montage auf einer Leiterplatte erwartet werden?

Die Komponente wird in einem SOT-223-Format für die Oberflächenmontage geliefert, das für Standard-Reflow-Lötprozesse geeignet ist.

Wie viel Leistung kann bei der Montage abgegeben werden?

Die maximale Verlustleistung beträgt 3,1 W, was die Wahl des Wärmemanagements und der Wärmeableitung beeinflusst.

Wie viele Stifte hat das Bauteil und wie ist die Befestigungsart?

Er verfügt über vier Pins und ist für die Oberflächenmontage auf einer Leiterplatte ausgelegt.