Microchip Einfach TN0110 N-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 100 V Erweiterung / 350 mA 1 W, 3-Pin TO-92
- RS Best.-Nr.:
- 177-9690
- Herst. Teile-Nr.:
- TN0110N3-G
- Marke:
- Microchip
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- TN0110N3-G
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Serie | TN0110 | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 100 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 350 mA | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 1 W | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gehäusegröße | TO-92 | |
| Durchlassspannung (Vf) | 1.5 V | |
| Höhe | 5.33 mm | |
| Länge | 5.08 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 4.5 Ω | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Breite | 4.06 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Serie TN0110 | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 100 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 350 mA | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 1 W | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gehäusegröße TO-92 | ||
Durchlassspannung (Vf) 1.5 V | ||
Höhe 5.33 mm | ||
Länge 5.08 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 4.5 Ω | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Breite 4.06 mm | ||
- Ursprungsland:
- TW
This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
Low threshold - 2.0V max.
High input impedance
Low input capacitance - 50pF typical
Fast switching speeds
Low on-resistance
Free from secondary breakdown
Low input and output leakage