Microchip VN2106 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 300 mA 1 W, 3-Pin TO-92
- RS Best.-Nr.:
- 177-9724
- Herst. Teile-Nr.:
- VN2106N3-G
- Marke:
- Microchip
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- RS Best.-Nr.:
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- VN2106N3-G
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 300 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | TO-92 | |
| Serie | VN2106 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 6 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.8V | |
| Verlustleistung max. | 1 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | 20 V | |
| Breite | 4.06mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 5.08mm | |
| Höhe | 5.33mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.8V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 300 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße TO-92 | ||
Serie VN2106 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 6 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.8V | ||
Verlustleistung max. 1 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. 20 V | ||
Breite 4.06mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 5.08mm | ||
Höhe 5.33mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.8V | ||
- Ursprungsland:
- US
Dieser (normally off) Transistor als Anreicherungstyp verwendet eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikalen DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedrige Anforderung an die Stromversorgung
Einfacher Parallelbetrieb
Niedrige CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Ausgezeichnete Temperaturstabilität
Integrierte Source-Drain-Diode
Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung
Niedrige Anforderung an die Stromversorgung
Einfacher Parallelbetrieb
Niedrige CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Ausgezeichnete Temperaturstabilität
Integrierte Source-Drain-Diode
Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung