Microchip VN2460 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 200 mA 1,6 W, 3-Pin TO-243AA
- RS Best.-Nr.:
- 177-9730
- Herst. Teile-Nr.:
- VN2460N8-G
- Marke:
- Microchip
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
14,27 €
(ohne MwSt.)
16,98 €
(inkl. MwSt.)
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 20 | 1,427 € | 14,27 € |
| 30 - 90 | 1,353 € | 13,53 € |
| 100 + | 1,218 € | 12,18 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 177-9730
- Herst. Teile-Nr.:
- VN2460N8-G
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 200 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V | |
| Gehäusegröße | TO-243AA | |
| Serie | VN2460 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 25 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.5V | |
| Verlustleistung max. | 1,6 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | 20 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 4.6mm | |
| Breite | 2.6mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Höhe | 1.6mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.5V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 200 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 600 V | ||
Gehäusegröße TO-243AA | ||
Serie VN2460 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 25 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1.5V | ||
Verlustleistung max. 1,6 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. 20 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 4.6mm | ||
Breite 2.6mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Höhe 1.6mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.5V | ||
Dieser (normally off) Transistor als Anreicherungstyp verwendet eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikale DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedrige Anforderung an die Stromversorgung
Einfacher Parallelbetrieb
Niedrige CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Ausgezeichnete Temperaturstabilität
Integrierte Source-Drain-Diode
Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung
Niedrige Anforderung an die Stromversorgung
Einfacher Parallelbetrieb
Niedrige CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Ausgezeichnete Temperaturstabilität
Integrierte Source-Drain-Diode
Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung