Microchip VN2460 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 200 mA 1,6 W, 3-Pin TO-243AA

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RS Best.-Nr.:
177-9730
Herst. Teile-Nr.:
VN2460N8-G
Marke:
Microchip
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Marke

Microchip

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

200 mA

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

TO-243AA

Serie

VN2460

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

25 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

1.5V

Verlustleistung max.

1,6 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

20 V

Länge

4.6mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

2.6mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

1.6mm

Diodendurchschlagsspannung

1.5V

Dieser (normally off) Transistor als Anreicherungstyp verwendet eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikale DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.

Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedrige Anforderung an die Stromversorgung
Einfacher Parallelbetrieb
Niedrige CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Ausgezeichnete Temperaturstabilität
Integrierte Source-Drain-Diode
Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung