Vishay IRFPG50 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 1 kV / 6.1 A 190 W, 3-Pin TO-247AC

Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Stange mit 25 Stück)*

91,50 €

(ohne MwSt.)

109,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 500 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Stange*
25 - 253,66 €91,50 €
50 - 1003,55 €88,75 €
125 +3,404 €85,10 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
178-0788
Herst. Teile-Nr.:
IRFPG50PBF
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1kV

Gehäusegröße

TO-247AC

Serie

IRFPG50

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.8V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

190nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

190W

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

15.87mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

5.31mm

Höhe

20.7mm

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFET der Serie IRFPG50 von Vishay, 1000 V Drain-Quellenspannung, 6,1 A kontinuierlicher Drain-Strom – IRFPG50PBF


Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für die Leistungsschaltung und -steuerung in der Industrieelektronik entwickelt wurde. Es wird für die Durchsteckmontage in einem TO-247AC-Gehäuse geliefert und eignet sich für Anwendungen, die eine erhebliche Spannungsrückhaltung und einen hohen Wärmebereich erfordern, während es über einen breiten Umgebungstemperaturbereich arbeitet.

Merkmale und Vorteile:


• Hält bis zu 1000 V für Hochspannungsschaltanwendungen stand
• Der kontinuierliche Ablassstrom von 6,1 A ermöglicht eine dauerhafte Lastverarbeitung
• Drain-Source-Eingangswiderstand von 2 Ω reduziert Leitungsverluste unter Last
• Maximale Verlustleistung von 190 W ermöglicht einen höheren Leistungsdurchsatz
• Typische Gate-Ladung von 190 nC unterstützt vorhersehbares Schaltverhalten
• Gate-Source-Grenzwert von 20 V schützt das Gate vor übermäßiger Antriebsspannung

Anwendungen


• Geeignet für Hochspannungs-Motorantriebsstufen in Automatisierungssystemen
• Ideal für Schaltnetzteile, die robuste Spannungsbereiche erfordern
• Wird mit Leistungswandlern in industriellen elektrischen Schalttafeln verwendet
• Kann für Lastschaltvorgänge in mechanischen Betätigungssystemen verwendet werden

Welche Befestigungsmethode ist für die Installation erforderlich?


Es erfordert eine Durchsteckmontage und wird in einem TO-247AC-Gehäuse geliefert, das mit Standard-Durchsteckkühlkörpern kompatibel ist.

Wie verhält es sich in Umgebungen mit extremen Temperaturen?


Es ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C spezifiziert und bietet sowohl den Einsatz unter Bedingungen unter Null als auch bei erhöhten Temperaturen ohne Abstufung außerhalb dieser Grenzwerte.

Welche Einschränkungen des Gate-Antriebs sind zu beachten?


Die maximale zulässige Gate-Source-Spannung beträgt 20 V, sodass Gate-Drive-Schaltkreise so konzipiert sein sollten, dass diese Schwelle nicht überschritten wird.

Welche Überlegungen zum Wärmemanagement sind erforderlich?


Mit einer maximalen Verlustleistung von 190 W sind eine effektive Kühlung und eine thermische Kopplung an ein Chassis oder einen speziellen Spülkasten erforderlich, um die Sperrschichttemperaturen innerhalb sicherer Grenzen zu halten.

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.