Vishay IRFPG50 N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 1 kV / 6.1 A 190 W, 3-Pin TO-247AC
- RS Best.-Nr.:
- 178-0788
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFPG50PBF
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (25 Stück, in einer Stange mit 25)*
91,50 €
(ohne MwSt.)
109,00 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 475 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 3,66 € | 91,50 € |
| 50 - 100 | 3,55 € | 88,75 € |
| 125 + | 3,404 € | 85,10 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 178-0788
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFPG50PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1kV | |
| Gehäusegröße | TO-247AC | |
| Serie | IRFPG50 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 190nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 190W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.8V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 5.31mm | |
| Höhe | 20.7mm | |
| Länge | 15.87mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1kV | ||
Gehäusegröße TO-247AC | ||
Serie IRFPG50 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 190nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 190W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.8V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 5.31mm | ||
Höhe 20.7mm | ||
Länge 15.87mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie IRFPG50 von Vishay, 1000 V Drain-Source-Spannung, 190 W Verlustleistung – IRFPG50PBF
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für Schalt- und Leistungssteuerung in anspruchsvollen industriellen Umgebungen entwickelt wurde. Er bietet eine hohe Drain-to-Source-Spannungskapazität und ist für die Durchsteckmontage in Stromversorgungsbaugruppen vorgesehen, bei denen eine robuste thermische und elektrische Leistung über einen breiten Umgebungsbereich erforderlich ist.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 1000 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 6.1 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme
• Maximale Verlustleistung von 190 W ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• Maximale Rds(on) von 2 Ω vereinfacht den Gate-Antrieb und das thermische Design
• 190 nC typische Gate-Ladung informiert über das Energiebudget des Gate-Antriebs
• 20-V-Gate-Toleranz ermöglicht flexible Gate-Antriebsmargen
• 6.1 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme
• Maximale Verlustleistung von 190 W ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• Maximale Rds(on) von 2 Ω vereinfacht den Gate-Antrieb und das thermische Design
• 190 nC typische Gate-Ladung informiert über das Energiebudget des Gate-Antriebs
• 20-V-Gate-Toleranz ermöglicht flexible Gate-Antriebsmargen
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungsnetzteile und Wandler
• Ideal für industrielle Motorantriebe-Frontenden
• Wird für Wechselrichter- und USV-Schaltstufen verwendet
• Kann zum Schalten von ohmscher Last in Prüfgeräten verwendet werden
• Geeignet für Durchsteckprototypen und Reparaturszenarien
• Ideal für industrielle Motorantriebe-Frontenden
• Wird für Wechselrichter- und USV-Schaltstufen verwendet
• Kann zum Schalten von ohmscher Last in Prüfgeräten verwendet werden
• Geeignet für Durchsteckprototypen und Reparaturszenarien
Welches Gehäuse und welche Befestigungsmethode wird verwendet?
Er wird in einem TO-247AC-Gehäuse geliefert, das für die Durchsteckmontage entwickelt wurde, um eine zuverlässige Befestigung von Leiterplatten und Kühlkörpern zu ermöglichen.
In welchem Temperaturbereich ist er für den Betrieb ausgelegt?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit großen Temperaturschwankungen.
Wie viele Stifte sind vorhanden und wie wirkt sich das auf das Layout aus?
Das Gerät verfügt über drei Pins, die einkanalige Standard-MOSFET-Leiterplatten-Layouts und herkömmliche Gate-, Drain- und Source-Routing ermöglichen.
Wie hoch ist die Durchlassspannung des Geräts und wie wirkt sich dies auf die Schaltverluste aus?
Die Durchlassspannung beträgt 1,8 V, was zur Berechnung der Leitungs- und Schaltenergie bei der Verwendung in Schaltkreisen mit Diodenleitungs- oder Body-Diode-Ereignissen beiträgt.