Vishay IRFP22N50APBF N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 22 A 277 W, 3-Pin TO-247AC

RS Best.-Nr.:: 178-0789
Herst. Teile-Nr.:: IRFP22N50APBF
Marke:: Vishay

Vishay IRFP22N50APBF N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 22 A 277 W, 3-Pin TO-247AC

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Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer Stange von 25)

3,515 €

(ohne MwSt.)

4,183 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
25 - 25	3,515 €	87,875 €
50 - 100	3,445 €	86,125 €
125 +	3,269 €	81,725 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 178-0789
Herst. Teile-Nr.:: IRFP22N50APBF
Marke:: Vishay

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Datasheet

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

N-Kanal MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor

Der Vishay Leistungs-MOSFET verfügt über Qg mit niedriger Gate-Ladung, was zu einem einfachen Treiberbedarf führt und eine verbesserte Gate-, Lawinen- und dynamische dV/dt-Robustheit bietet.

Betriebstemperaturbereich von Verbindung und Lagerung: 55 bis +150 °C.

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	22 A
Drain-Source-Spannung max.	500 V
Gehäusegröße	TO-247AC
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	230 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	277 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Länge	15.87mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	120 nC @ 10 V
Breite	5.31mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Höhe	20.7mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C