Vishay IRF740A Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 400 V / 10 A 125 W, 3-Pin TO-220

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schalttransistor, der für anspruchsvolle Industrie- und Automatisierungsumgebungen entwickelt wurde. Es bewältigt hohe Drain-to-Source-Spannungen und eignet sich für Schaltkreise, die eine robuste Schaltfähigkeit und eine moderate Dauerstromkapazität erfordern, während es auf einem Durchgangsloch-Leiterplattenformat montiert wird.

• Die Nenn-Drain-to-Source-Spannung von 400 V bietet Hochspannungs-Schaltfunktionen • 10 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt eine dauerhafte Stromversorgung • Niedrige Rds(on) von 550 mΩ reduziert Leitungsverluste während des Betriebs • Die Verlustleistung von 125 W ermöglicht eine hohe Leistungsaufnahme in Baugruppen • Typische Gate-Ladung von 36 nC ermöglicht vorhersehbares Schaltverhalten • Die maximale Betriebstemperatur von 150 °C toleriert erhöhte thermische Bedingungen

• Geeignet für industrielle Wechselrichter- und Wandler-Leistungsstufen • Ideal für das Schalten von Motorantrieben in Automatisierungssystemen • Verwendet mit Hochspannungsnetzteilen in Prüfgeräten • Kann für Primärschalter mit Schaltnetzteil verwendet werden • Geeignet für Hochspannungsrelais-Ersatz und Schutzschaltkreise

Es wird in einem TO-220AB-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert, das eine sichere Befestigung des Kühlkörpers über die rückseitige Montagefahne für eine effektive Wärmeableitung ermöglicht.

Das Gate nimmt bis zu 30 V zwischen Gate und Quelle auf, ermöglicht Standard-Gate-Antriebsspannungen und schützt gleichzeitig vor Überspannungen.

Es funktioniert über einen breiten Temperaturbereich von -55 °C bis zu seiner maximalen Anschlussgrenze von 150 °C für Anwendungen mit erhöhten Temperaturen.

Die spezifizierte Gate-Ladung von 36 nC und die Gerätekapazitäten definieren Schaltverluste und Timing, was bei der Berechnung der Antriebsanforderungen für hart schaltende Topologien hilft.