Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 11 A 3 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
178-0863
Herst. Teile-Nr.:
IRF9640SPBF
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

11 A

Drain-Source-Spannung max.

200 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

500 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

3 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Breite

9.65mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

10.41mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

44 nC @ 10 V

Höhe

4.83mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

P-Kanal MOSFET, 100 V bis 400 V, Vishay Semiconductor


Die Vishay Leistungs-MOSFETs der dritten Generation bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schneller Schaltung, robustem Gerätedesign, geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand und Kosteneffizienz. Das D2PAK (TO-263) ist ein SMD-Leistungsgehäuse. Es bietet die höchste Leistungskapazität und den geringstmöglichen Widerstand im eingeschalteten Zustand in jedem vorhandenen SMD-Gehäuse.

Dynamische dV-/dt-Bewertung
Für sich wiederholende Stoßentladung ausgelegt
Einfacher Parallelbetrieb


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

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