Vishay EF Series SIHG28N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 28 A 250 W, 3-Pin TO-247AC
- RS Best.-Nr.:
- 178-0895
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHG28N60EF-GE3
- Marke:
- Vishay
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
115,00 €
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 + | 2,30 € | 115,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 178-0895
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHG28N60EF-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 28 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V | |
| Gehäusegröße | TO-247AC | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 123 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 250 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Breite | 5.31mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 15.87mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 80 nC @ 10 V | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Serie | EF Series | |
| Höhe | 20.82mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 28 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 600 V | ||
Gehäusegröße TO-247AC | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 123 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 250 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Breite 5.31mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 15.87mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 80 nC @ 10 V | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Serie EF Series | ||
Höhe 20.82mm | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal-MOSFET mit Fast Diode, EF-Serie, Vishay Semiconductor
Geringere Umkehr-Wiederherstellungszeit, Umkehr-Erholungsladung und Sperrverzögerungsstrom
Niedriger Gütefaktor (FOM)
Niedrige Eingangskapazität (Ciss)
Erhöhte Widerstandsfähigkeit aufgrund der geringen Umkehr-Erholungsladungen
Ultraniedrige Gatterladung (Qg)
Niedriger Gütefaktor (FOM)
Niedrige Eingangskapazität (Ciss)
Erhöhte Widerstandsfähigkeit aufgrund der geringen Umkehr-Erholungsladungen
Ultraniedrige Gatterladung (Qg)
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor