Infineon HEXFET IRFS4229PBF N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 45 A 330 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
178-1418
Herst. Teile-Nr.:
IRFS4229PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

45 A

Drain-Source-Spannung max.

250 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

48 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

330 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Breite

9.65mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

72 nC @ 10 V

Länge

10.67mm

Betriebstemperatur min.

–40 °C

Höhe

4.83mm

Serie

HEXFET

Der Infineon IRFS4229 ist der 250-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET-PDP-Schalter in einem D2-Pak-Gehäuse. Dieser HEXFET-Leistungs-MOSFET wurde speziell für die Aufrechterhaltung, Energierückgewinnung und frühere Schalteranwendungen entwickelt.

175 °C Betriebstemperatur der Verbindung für verbesserte Robustheit
Wiederholte Lawinenfähigkeit für Robustheit und Zuverlässigkeit