Infineon HEXFET IRF3315PBF N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 23 A 94 W, 3-Pin TO-220AB

Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

Der Infineon IRF3315 ist der 150-V-Einkanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse.

Planare Zellstruktur für eine breite SOA
Optimiert für die breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern
Produktqualifikation nach JEDEC-Standard

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.