Infineon HEXFET IRFZ34NSPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 29 A 3,8 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
178-1456
Herst. Teile-Nr.:
IRFZ34NSPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

29 A

Drain-Source-Spannung max.

55 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

40 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

3,8 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Länge

10.67mm

Breite

9.65mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

34 nC @ 10 V

Höhe

4.83mm

Serie

HEXFET

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Der Infineon IRFZ34NS ist der 55-V-N-Kanal-IR-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse. Das D-Pak wurde für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Schwall-Lötverfahren entwickelt.

Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Vollständig lawinengeprüft
Ohne Leitung