Infineon HEXFET IRL2910SPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 55 A 3,8 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
178-1462
Herst. Teile-Nr.:
IRL2910SPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

55 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

26 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

3,8 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–16 V, +16 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

9.65mm

Länge

10.67mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

140 nC @ 5 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

4.83mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Serie

HEXFET

Der Infineon 100-V-Single-N-Kanal-IR-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse. Das D2Pak ist ein SMD-Leistungsgehäuse, das Matrizengrößen bis HEX-4 aufnehmen kann. Es bietet die höchste Leistungskapazität und den geringstmöglichen Widerstand in jedem vorhandenen SMD-Gehäuse.

Advanced Prozesstechnologie
Extrem niedriger Einschaltwiderstand
Dynamische dv/dt-Bewertung
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Vollständig lawinengeprüft