Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 88 A 200 W, 3-Pin TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 178-1472
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB4410PBF
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 178-1472
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB4410PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 88 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-220AB | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 10 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 200 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Länge | 10.66mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 120 nC @ 10 V | |
| Breite | 4.82mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 9.02mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 88 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-220AB | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 10 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 200 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Länge 10.66mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 120 nC @ 10 V | ||
Breite 4.82mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 9.02mm | ||
Infineons strongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für einen niedrigen RDS-Wert und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio deckt sich mit einer Vielzahl von Anwendungen ab, einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.
Verfügbar bei den meisten Vertriebspartner
Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard
Stromversorgung per Durchgangsbohrung nach Industriestandard
Hoher Nennstrom
