Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 16 A 79 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
178-1505
Herst. Teile-Nr.:
IRFR3910PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

16 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

115 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

79 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

44 nC @ 10 V

Länge

6.73mm

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

6.22mm

Höhe

2.39mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Der Infineon IRFR3910 ist der 100-V-Einkanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse. Der D-PAK wurde für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Schwall-Lötverfahren entwickelt.

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