Infineon HEXFET P-Kanal, THT MOSFET 55 V / 20 A 79 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

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RS Best.-Nr.:
178-1510
Herst. Teile-Nr.:
IRLU9343PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

20 A

Drain-Source-Spannung max.

55 V

Gehäusegröße

IPAK (TO-251)

Serie

HEXFET

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

105 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

1V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

79 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Länge

6.73mm

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

31 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

2.39mm

Höhe

6.22mm

Betriebstemperatur min.

–40 °C

Der Infineon IRLU9343 ist der 55-V-HEXFET-Leistungs-MOSFET mit einem P-Kanal in einem I-Pak-Gehäuse. Dieser digitale Audio-HEXFET wurde speziell für Klasse-D-Audioverstärkeranwendungen entwickelt. Dieser MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen.

Wiederholte Lawinenfähigkeit für Robustheit und Zuverlässigkeit
Mehrere Gehäuseoptionen
175 °C Betriebstemperatur der Verbindung für Robustheit