Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 119 A 140 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
178-1511
Herst. Teile-Nr.:
IRFR4104PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

119 A

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Serie

HEXFET

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

6 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

140 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Breite

6.22mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

6.73mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

59 nC @ 10 V

Höhe

2.39mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Der Infineon IRFR4104 ist der 40-V-Einkanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse. Dieser HEXFET-Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen.

Advanced Prozesstechnologie
Extrem niedriger Einschaltwiderstand
175 °C Betriebstemperatur
Schnelle Schaltgeschwindigkeit