Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 6,2 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

Alle MOSFET anzeigen
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
RS Best.-Nr.:
178-1527
Herst. Teile-Nr.:
IRF7241PBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

6,2 A

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

HEXFET

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

41 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

2,5 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

53 nC @ 10 V

Länge

5mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4mm

Höhe

1.5mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 6,2A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 2,5W maximale Verlustleistung - IRF7241TRPBF


Dieser MOSFET ist für ein effizientes Leistungsmanagement in elektronischen Schaltungen konzipiert. Mit einer P-Kanal-Konfiguration und einem kontinuierlichen Drain-Strom von 6,2 A ist er für verschiedene Anwendungen geeignet. Der Betrieb im Erweiterungsmodus verbessert seine Anpassungsfähigkeit an verschiedene elektronische Geräte und macht ihn zu einem unverzichtbaren Bestandteil von Automatisierungs- und elektrischen Systemen.

Eigenschaften und Vorteile


• Unterstützt eine maximale Drain-Source-Spannung von 40 V für hohe Leistung

• Niedriger Einschaltwiderstand von 70 mΩ verbessert die Effizienz und minimiert die Wärmeentwicklung

• Hält einer maximalen Betriebstemperatur von +150°C stand

• Breiter Gate-Spannungsbereich ermöglicht flexible Designintegration

• Ein-Transistor-Konfiguration vereinfacht das Schaltungslayout und spart Platz

• Typische Gate-Ladung von 53nC bei 10 V ermöglicht schnelles Schalten

Anwendungsbereich


• Einsatz in Energiemanagementsystemen für die Automatisierung

• Geeignet für den Antrieb von Lasten in der Unterhaltungselektronik

• Einsatz in Leistungsumwandlungs- und Regelkreisen

• Eingebunden in verschiedene Elektroindustrie

• Integriert in Motorsteuerungs- und Industrieautomatisierungssysteme

Welche Bedeutung hat die Messung des niedrigen RDS(on)?


Eine niedrige RDS(on)-Messung deutet auf geringere Leistungsverluste während des Betriebs hin, was zu einem besseren Wirkungsgrad und einer geringeren Wärmeentwicklung führt.

Wie wirkt sich die maximale Gate-Source-Spannung auf die Leistung aus?


Der maximale Gate-Source-Spannungsbereich ermöglicht eine größere Kompatibilität mit verschiedenen Treiberschaltungen und gewährleistet ein zuverlässiges Schalten unter verschiedenen Betriebsbedingungen.

Welche Vorsichtsmaßnahmen sind bei der Installation zu treffen?


Sorgen Sie für ein angemessenes Wärmemanagement und stellen Sie sicher, dass die Betriebsbedingungen innerhalb der angegebenen Höchstwerte liegen, insbesondere für Spannung und Temperatur.

Wie wirkt sich das Verhalten im Anreicherungsmodus auf den Schaltungsentwurf aus?


Im Enhancement-Modus ist der Transistor bei einer Gate-Spannung von Null ausgeschaltet, was zu einem geringeren Stromverbrauch im Standby-Modus führt und die Zuverlässigkeit der Schaltung insgesamt erhöht.