Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 15 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
178-1531
Herst. Teile-Nr.:
IRF7425PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

15 A

Drain-Source-Spannung max.

20 V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

SOIC

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

8 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

1.2V

Gate-Schwellenspannung min.

0.45V

Verlustleistung max.

2,5 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-12 V, +12 V

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

87 nC @ 4,5 V

Breite

4mm

Höhe

1.5mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Der Infineon IRF7425 ist der 20-V-HEXFET-Leistungs-MOSFET mit einem P-Kanal in einem SO-8-Gehäuse.

RoHS-konform
Branchenführende Qualität
Pinbelegung nach dem Industriestandard
P-Kanal-MOSFET