Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 60 A 38 W, 8-Pin SO-8

Marke

Vishay Siliconix

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

60 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SO-8

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

6 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

1.2V

Gate-Schwellenspannung min.

2.4V

Verlustleistung max.

38 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–16 V, +20 V

Breite

5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

5.99mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

21 nC @ 10 V

Höhe

1.07mm

Diodendurchschlagsspannung

1.1V

Betriebstemperatur min.

–55 °C