Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 35 A 52 W, 8-Pin 1212

Marke

Vishay Siliconix

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

35 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

1212

Serie

TrenchFET

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

8 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

1.15V

Gate-Schwellenspannung min.

2.2V

Verlustleistung max.

52 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Länge

3.15mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

3.15mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

28 nC @ 10 V

Höhe

1.07mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Betriebstemperatur min.

–55 °C