Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 60 A 83 W, 8-Pin PowerPAIR 6 x 5F

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RS Best.-Nr.:
178-3704
Herst. Teile-Nr.:
SiZF906ADT-T1-GE3
Marke:
Vishay Siliconix
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Marke

Vishay Siliconix

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

60 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

PowerPAIR 6 x 5F

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

5 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

1.1V

Gate-Schwellenspannung min.

2.2V

Verlustleistung max.

83 W

Gate-Source Spannung max.

–16 V, +20 V

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Breite

6mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

100 (Kanal 2) nC bei 10 V; 24,5 (Kanal 1) nC bei 10 V

Länge

5mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

0.7mm

RoHS Status: Nicht zutreffend

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