Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V 26,6 W, 60 W, 8-Pin PowerPAIR 6 x 5
- RS Best.-Nr.:
- 178-3705
- Herst. Teile-Nr.:
- SIZF916DT-T1-GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
Nicht verfügbar
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- RS Best.-Nr.:
- 178-3705
- Herst. Teile-Nr.:
- SIZF916DT-T1-GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay Siliconix | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 40 A (Kanal 1), 60 A (Kanal 2) | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | PowerPAIR 6 x 5 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 6 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.1V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.4V | |
| Verlustleistung max. | 26,6 W, 60 W | |
| Gate-Source Spannung max. | +16 V, +20 V, -12 V, -16 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Breite | 6mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 14,6 (Kanal 1) nC bei 10 V; 62 (Kanal 2) nC bei 10 V | |
| Länge | 5mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Höhe | 0.7mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay Siliconix | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 40 A (Kanal 1), 60 A (Kanal 2) | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße PowerPAIR 6 x 5 | ||
Serie TrenchFET | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 6 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.1V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2.4V | ||
Verlustleistung max. 26,6 W, 60 W | ||
Gate-Source Spannung max. +16 V, +20 V, -12 V, -16 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Breite 6mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 14,6 (Kanal 1) nC bei 10 V; 62 (Kanal 2) nC bei 10 V | ||
Länge 5mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Höhe 0.7mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
MERKMALE
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
SkyFET® Low-Side-MOSFET mit integriertem
Schottky
ANWENDUNGEN
CPU-Kern-Leistung
Computer/Server-Peripheriegeräte
POL
Synchroner Abwärtswandler
Telekommunikation DC/DC
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
SkyFET® Low-Side-MOSFET mit integriertem
Schottky
ANWENDUNGEN
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POL
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Telekommunikation DC/DC