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Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Vishay Siliconix TrenchFET SQ1464EEH-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 440 mA 430 mW, 6-Pin SC-70
RS Best.-Nr.:
178-3707
Herst. Teile-Nr.:
SQ1464EEH-T1_GE3
Marke:
Vishay Siliconix
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RS Best.-Nr.:
178-3707
Herst. Teile-Nr.:
SQ1464EEH-T1_GE3
Marke:
Vishay Siliconix
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Technische Daten
Datasheet
RoHS Status: Nicht zutreffend
Konformitätserklärung
Ursprungsland:
CN
TrenchFET® Leistungs-MOSFET
Eigenschaft
Wert
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
440 mA
Drain-Source-Spannung max.
60 V
Serie
TrenchFET
Gehäusegröße
SC-70
Montage-Typ
SMD
Pinanzahl
6
Drain-Source-Widerstand max.
3,1 Ω
Channel-Modus
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.
0.45V
Gate-Schwellenspannung min.
1V
Verlustleistung max.
430 mW
Transistor-Konfiguration
Einfach
Gate-Source Spannung max.
±8 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs
2,7 nC @ 4,5 V
Transistor-Werkstoff
Si
Betriebstemperatur max.
+175 °C
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Breite
1.35mm
Länge
2.2mm
Höhe
1mm
Automobilstandard
AEC-Q101
Diodendurchschlagsspannung
1.2V
Betriebstemperatur min.
–55 °C