Vishay Siliconix TrenchFET SQ1464EEH-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 440 mA 430 mW, 6-Pin SC-70
- RS Best.-Nr.:
- 178-3707
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ1464EEH-T1_GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 178-3707
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ1464EEH-T1_GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
TrenchFET® Leistungs-MOSFET
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 440 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | SC-70 |
| Serie | TrenchFET |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 6 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 3,1 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 0.45V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
| Verlustleistung max. | 430 mW |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±8 V |
| Breite | 1.35mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 2,7 nC @ 4,5 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Länge | 2.2mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Höhe | 1mm |
| Automobilstandard | AEC-Q101 |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |