Vishay Siliconix TrenchFET SQA401EEJ-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,68 A 13,6 W, 6-Pin SC-70-6L

RS Best.-Nr.:: 178-3709
Herst. Teile-Nr.:: SQA401EEJ-T1_GE3
Marke:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix TrenchFET SQA401EEJ-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,68 A 13,6 W, 6-Pin SC-70-6L

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RS Best.-Nr.:: 178-3709
Herst. Teile-Nr.:: SQA401EEJ-T1_GE3
Marke:: Vishay Siliconix

Datasheet

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	2,68 A
Drain-Source-Spannung max.	20 V
Serie	TrenchFET
Gehäusegröße	SC-70-6L
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	6
Drain-Source-Widerstand max.	200 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	1.5V
Gate-Schwellenspannung min.	0.6V
Verlustleistung max.	13,6 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±8 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	4,2 nC @ 4,5 V
Breite	1.35mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	2.2mm
Transistor-Werkstoff	Si
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Automobilstandard	AEC-Q101
Höhe	1mm

Vishay Siliconix TrenchFET SQA401EEJ-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,68 A 13,6 W, 6-Pin SC-70-6L

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