Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2,25 A 13,6 W, 6-Pin SC-70-6L

Marke

Vishay Siliconix

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

2,25 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

SC-70-6L

Serie

TrenchFET

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand max.

90 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

1.6V

Gate-Schwellenspannung min.

0.6V

Verlustleistung max.

13,6 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±12 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

4,1 nC @ 4,5 V

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

2.2mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

1.35mm

Höhe

1mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Automobilstandard

AEC-Q101

Betriebstemperatur min.

–55 °C