Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 150 A 150 W, 3 + Tab-Pin D2PAK (TO-263)

Alle MOSFET anzeigen
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
RS Best.-Nr.:
178-3724
Herst. Teile-Nr.:
SQM40022E_GE3
Marke:
Vishay Siliconix
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay Siliconix

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

150 A

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3 + Tab

Drain-Source-Widerstand max.

3 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.5V

Gate-Schwellenspannung min.

3.5V

Verlustleistung max.

150 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

106 nC @ 10 V

Länge

10.67mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4.83mm

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

11.3mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Automobilstandard

AEC-Q101

Diodendurchschlagsspannung

1.5V

RoHS Status: Nicht zutreffend

Ursprungsland:
TW
TrenchFET® Leistungs-MOSFET
Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand