Vishay Siliconix Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 6 A 27.8 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- RS Best.-Nr.:
- 178-3851P
- Herst. Teile-Nr.:
- SQS966ENW-T1_GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
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- SQS966ENW-T1_GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay Siliconix | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 60mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.82V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12.1nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 27.8W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 3.15 mm | |
| Höhe | 1.07mm | |
| Länge | 3.15mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay Siliconix | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212 | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 60mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.82V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12.1nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 27.8W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 3.15 mm | ||
Höhe 1.07mm | ||
Länge 3.15mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Ausgenommen
- Ursprungsland:
- CN
TrenchFET® Leistungs-MOSFET