Vishay Siliconix TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 3.6 A 1.7 W, 3-Pin SOT-23

RS Best.-Nr.:: 178-3853P
Herst. Teile-Nr.:: Si2319DDS-T1-GE3
Marke:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 3.6 A 1.7 W, 3-Pin SOT-23

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Herst. Teile-Nr.:: Si2319DDS-T1-GE3
Marke:: Vishay Siliconix

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay Siliconix
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	3.6A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Serie	TrenchFET
	Gehäusegröße	SOT-23
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	100mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Maximale Verlustleistung Pd	1.7W
	Durchlassspannung Vf	-1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	12.5nC
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	3.04mm
	Höhe	1.02mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	1.4mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay Siliconix
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.6A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Serie TrenchFET
	Gehäusegröße SOT-23
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 100mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Maximale Verlustleistung Pd 1.7W
	Durchlassspannung Vf -1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12.5nC
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 3.04mm
	Höhe 1.02mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 1.4mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:: CN

Vishay MOSFET

Der Vishay P-Kanal-MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 40 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 75 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 1,7 W und einen Dauerstrom von 3,6 A. Die minimale und maximale Treiberspannung für diesen MOSFET beträgt 4,5 V bzw. 10 V. Der MOSFET wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile

• Halogenfrei

• bleifrei (Pb)

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.

• TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Anwendungen

• Batterieschalter

• Lastschalter

• Motorsteuerung

Zertifizierungen

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg-geprüft

• UIS-geprüft