Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 45 A 65,7 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 178-3871
- Herst. Teile-Nr.:
- SiR108DP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 178-3871
- Herst. Teile-Nr.:
- SiR108DP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay Siliconix | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 45 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 13 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3.6V | |
| Verlustleistung max. | 65,7 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 5mm | |
| Länge | 5.99mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 27,5 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.1V | |
| Höhe | 1.07mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay Siliconix | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 45 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße PowerPAK SO-8 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 13 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3.6V | ||
Verlustleistung max. 65,7 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±20 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 5mm | ||
Länge 5.99mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 27,5 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.1V | ||
Höhe 1.07mm | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- CN
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
Sehr niedriger RDS – Qg Gütefaktor (FOM)
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS – Qoss FOM
Sehr niedriger RDS – Qg Gütefaktor (FOM)
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS – Qoss FOM