Vishay Siliconix TrenchFET Si7434ADP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 12,3 A 54,3 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 178-3890
- Herst. Teile-Nr.:
- Si7434ADP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
Nicht mehr im Sortiment
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- 178-3890
- Herst. Teile-Nr.:
- Si7434ADP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
MERKMALE
TrenchFET® Leistungs-MOSFET
PowerPAK®-Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand
ANWENDUNGEN
Primärseitiger Schalter
Synchrone Gleichrichtung
DC/DC-Konverter
Beleuchtung
Industrieausführung
TrenchFET® Leistungs-MOSFET
PowerPAK®-Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand
ANWENDUNGEN
Primärseitiger Schalter
Synchrone Gleichrichtung
DC/DC-Konverter
Beleuchtung
Industrieausführung
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 12,3 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 250 V |
| Gehäusegröße | SO-8 |
| Serie | TrenchFET |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 170 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
| Verlustleistung max. | 54,3 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
| Länge | 5.99mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 5mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 10,9 nC @ 10 V |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Höhe | 1.07mm |