Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 80 A 65,7 W, 8-Pin 1212
- RS Best.-Nr.:
- 178-3908
- Herst. Teile-Nr.:
- SiSS04DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 178-3908
- Herst. Teile-Nr.:
- SiSS04DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay Siliconix | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 80 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | 1212 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.2V | |
| Verlustleistung max. | 65,7 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -12 V, +16 V | |
| Breite | 3.15mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 61,5 nC @ 10 V | |
| Länge | 3.15mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 1.07mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.1V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay Siliconix | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 80 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße 1212 | ||
Serie TrenchFET | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 1 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2.2V | ||
Verlustleistung max. 65,7 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -12 V, +16 V | ||
Breite 3.15mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 61,5 nC @ 10 V | ||
Länge 3.15mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 1.07mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.1V | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- CN
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
Sehr niedriger RDS(on) in einem kompakten und thermisch verbesserten Gehäuse
Optimiertes Qg-, Qgd- und Qgd/Qgs-Verhältnis verringert Leistungsverlust beim Schalten
Sehr niedriger RDS(on) in einem kompakten und thermisch verbesserten Gehäuse
Optimiertes Qg-, Qgd- und Qgd/Qgs-Verhältnis verringert Leistungsverlust beim Schalten