Vishay Siliconix EL-Series N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 21 A 208 W, 3 + Tab-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 178-3930
- Herst. Teile-Nr.:
- SiHB22N60AEL-GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
Nicht verfügbar
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- 178-3930
- Herst. Teile-Nr.:
- SiHB22N60AEL-GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay Siliconix | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 21 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V | |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) | |
| Serie | EL-Series | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 + Tab | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 180 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 208 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±30 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 41 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 10.67mm | |
| Breite | 4.83mm | |
| Höhe | 11.3mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay Siliconix | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 21 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 600 V | ||
Gehäusegröße D2PAK (TO-263) | ||
Serie EL-Series | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 + Tab | ||
Drain-Source-Widerstand max. 180 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 208 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±30 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 41 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 10.67mm | ||
Breite 4.83mm | ||
Höhe 11.3mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- CN
MERKMALE
Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg
Niedrige Eingangskapazität (Ciss)
Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste
ANWENDUNGEN
Server- und Telekommunikations-Netzteile
Schaltnetzteile (SNT)
Netzteile für Leistungsfaktorkorrektur (PFC)
Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg
Niedrige Eingangskapazität (Ciss)
Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste
ANWENDUNGEN
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