onsemi FDD9507L-F085 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 227 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Alle MOSFET anzeigen
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
RS Best.-Nr.:
178-4233
Herst. Teile-Nr.:
FDD9507L-F085
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

100 A

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

4,4 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

227 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±16 V

Breite

6.22mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

100 nC @ 10 V

Länge

6.73mm

Diodendurchschlagsspannung

1.3V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

2.39mm

Ursprungsland:
PH
PowerTrench® MOSFET, P-Kanal, -40 V, -100 A; 4,4 mΩ

Typischer RDS(on) = 3,3 mΩ bei VGS = -10V, ID = -80 A
Typische Qg(Tot) = 110 nC bei VGS = -10V, ID = -80 A
UIS-Funktionen


Anwendungen:
Automobil-Motorsteuergeräte
Antriebsstrang-Management
Magnet- und Motortreiber
Verteilte Stromversorgungsarchitekturen und VRM
Hauptschalter-Netzteile für 12-V-Systeme
Endprodukte:
Elektrische Servolenkung
Integrierter Anlasser/Lichtmaschine