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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Channel-Typ	P
	Dauer-Drainstrom max.	50 A
	Drain-Source-Spannung max.	40 V
	Gehäusegröße	PQFN8
	Montage-Typ	SMD
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand max.	13,5 mΩ
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max.	3V
	Gate-Schwellenspannung min.	1V
	Verlustleistung max.	75 W
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Gate-Source Spannung max.	±16 V
	Breite	5.9mm
	Gate-Ladung typ. @ Vgs	28 nC @ 10 V
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Länge	5.1mm
	Betriebstemperatur max.	+175 °C
	Diodendurchschlagsspannung	1.25V
	Betriebstemperatur min.	–55 °C
	Höhe	1.1mm

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Channel-Typ P
	Dauer-Drainstrom max. 50 A
	Drain-Source-Spannung max. 40 V
	Gehäusegröße PQFN8
	Montage-Typ SMD
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand max. 13,5 mΩ
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max. 3V
	Gate-Schwellenspannung min. 1V
	Verlustleistung max. 75 W
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Gate-Source Spannung max. ±16 V
	Breite 5.9mm
	Gate-Ladung typ. @ Vgs 28 nC @ 10 V
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Länge 5.1mm
	Betriebstemperatur max. +175 °C
	Diodendurchschlagsspannung 1.25V
	Betriebstemperatur min. –55 °C
	Höhe 1.1mm

Ursprungsland:: PH

PowerTrench® MOSFET, P-Kanal, Logikebene, 40 V, -50 A, 13,5 mΩ

Typischer RDS(on) = 11 mΩ bei VGS = -10V, ID = -50 A
Typische Qg(Tot) = 28 nC bei VGS = -10V, ID = -50 A
UIS-Funktionen

Benetzbare Flanken für automatische optische Inspektion (AOI)
Anwendungen
Automobil-Motorsteuergeräte
Antriebsstrang-Management
Magnet- und Motortreiber
Elektronische Lenkung
Integrierter Anlasser/Lichtmaschine
Verteilte Stromversorgungsarchitekturen und VRM
Hauptschalter-Netzteile für 12-V-Systeme

onsemi FDWS9510L-F085 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 50 A 75 W, 8-Pin PQFN8