onsemi FCU360N65S3R0 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 10 A 83 W, 3-Pin IPAK
- RS Best.-Nr.:
- 178-4246
- Herst. Teile-Nr.:
- FCU360N65S3R0
- Marke:
- onsemi
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 10 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V | |
| Gehäusegröße | IPAK | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 360 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.5V | |
| Verlustleistung max. | 83 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±30 V | |
| Länge | 6.8mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 18 nC @ 10 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 2.5mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Höhe | 6.3mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 10 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 650 V | ||
Gehäusegröße IPAK | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 360 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2.5V | ||
Verlustleistung max. 83 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±30 V | ||
Länge 6.8mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 18 nC @ 10 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 2.5mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Höhe 6.3mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
- Ursprungsland:
- CN
SuperFET® III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction(SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleich-Technologie für einen herausragend geringen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladeleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Somit ist SuperFET III MOSFET sehr gut in verschiedenen Stromsystemen zur Miniaturisierung und für höhere Effizienz geeignet.
700 V bei TJ = 150 °C
Ultraniedrige Gatterladung (typ. Qg = 18 nC)
Niedrige effektive Ausgangskapazität (typ. Coss (eff.) = 173 pF)
Optimierte Kapazität
Interner Gate-Widerstand: 1 Ω
Typ. RDS(on) = 310 mΩ
Vorteile:
Höhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger Temperatur
Geringere Schaltverluste
Geringere Schaltverluste
Geringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-Oszillation
Anwendungen:
Computer
Unterhaltungselektronik
Industrieausführung
Endprodukte:
Notebook/Desktop-Computer/Spielkonsole
Telekommunikation/Server
LCD/LED-TV
LED-Beleuchtung / Starter
Adapter
Ultraniedrige Gatterladung (typ. Qg = 18 nC)
Niedrige effektive Ausgangskapazität (typ. Coss (eff.) = 173 pF)
Optimierte Kapazität
Interner Gate-Widerstand: 1 Ω
Typ. RDS(on) = 310 mΩ
Vorteile:
Höhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger Temperatur
Geringere Schaltverluste
Geringere Schaltverluste
Geringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-Oszillation
Anwendungen:
Computer
Unterhaltungselektronik
Industrieausführung
Endprodukte:
Notebook/Desktop-Computer/Spielkonsole
Telekommunikation/Server
LCD/LED-TV
LED-Beleuchtung / Starter
Adapter