onsemi NVMFS5C426NLT1G N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 237 A 128 W, 5-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 178-4302
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFS5C426NLT1G
- Marke:
- onsemi
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1,659 €
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 1500 + | 1,659 € | 2.488,50 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 178-4302
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFS5C426NLT1G
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- MY
Produktdetails
Automobil-Leistungs-MOSFET in einem 5-x-6-mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Inspektion. Für Automobilanwendungen geeignet.
Merkmale
Kleine Abmessungen: 5 x 6 mm
Niedriger RDS (EIN)
Niedrige Qg und Kapazität
Option mit benetzbaren Flanken
PPAP-fähig
Vorteile
Kompaktes Design
Minimiert Leitungsverluste
Minimiert Treiberverluste
Verbesserte optische Prüfung
Anwendungen
Verpolungsschutz
Stromversorgung (Hochspannungstreiber, Niederspannungstreiber, H-Brücken usw.)
Schaltnetzteile
Endprodukte
Spulentreiber – ABS, Kraftstoffeinspritzung
Motorsteuerung – EPS, Scheibenwischer, Lüfter, Sitze usw.
Lastschalter – ECU, Chassis, Gehäuse
Kleine Abmessungen: 5 x 6 mm
Niedriger RDS (EIN)
Niedrige Qg und Kapazität
Option mit benetzbaren Flanken
PPAP-fähig
Vorteile
Kompaktes Design
Minimiert Leitungsverluste
Minimiert Treiberverluste
Verbesserte optische Prüfung
Anwendungen
Verpolungsschutz
Stromversorgung (Hochspannungstreiber, Niederspannungstreiber, H-Brücken usw.)
Schaltnetzteile
Endprodukte
Spulentreiber – ABS, Kraftstoffeinspritzung
Motorsteuerung – EPS, Scheibenwischer, Lüfter, Sitze usw.
Lastschalter – ECU, Chassis, Gehäuse
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 237 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V |
| Gehäusegröße | DFN |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 5 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1,2 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.2V |
| Verlustleistung max. | 128 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
| Länge | 5.1mm |
| Breite | 6.1mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 44 nC @ 4,5 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
| Höhe | 1.05mm |
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