onsemi NTD5C434NT4G N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 160 A 120 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
178-4310
Herst. Teile-Nr.:
NTD5C434NT4G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

160 A

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

2,1 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

120 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

6.22mm

Länge

6.73mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

80,6 nC @ 10 V

Höhe

2.25mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Ursprungsland:
VN
40 V, 2,1 m, 160 A, einzelner N-Kanal DPAK Power MOSFET

Leistungsmerkmale:
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Hohe Strombelastbarkeit


Vorteile:
Minimale Leitungsverluste.
Robustes Lastverhalten
Spannungsüberlastungsschutz
Anwendungen:
AC/DC-Leistungsumwandlung
DC/DC-Leistungsumwandlung
Motorantrieb
Endprodukte:
Akkuwerkzeug
Stromversorgung