onsemi Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 42 A 37 W, 8-Pin DFN

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RS Best.-Nr.:
178-4314
Herst. Teile-Nr.:
NTMFD5C674NLT1G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

42A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

DFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

14.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.7nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

175°C

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Verlustleistung Pd

37W

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Höhe

1.05mm

Breite

6.1 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

5.1mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Kommerzieller Leistungs-MOSFET in einem 5x6-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung.

Niedriger Einschaltwiderstand

Hohe Strombelastbarkeit

Kleine Abmessungen (5 x 6 mm)

Vorteile

Minimale Leitungsverluste.

Robustes Lastverhalten

Kompaktes Design

Anwendungen

Motorsteuerung

Synchron-DC/DC-Regler

Stromversorgung (Hochspannungstreiber, Niederspannungstreiber, H-Brücken usw.)

Akkuladung und -Schutz

Endprodukte

Akkupacks

Stromversorgungen

Rotationsdrohnen

Akkuwerkzeug

Power over Ethernet (PoE)

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