onsemi NVMFS5A160PLZWFT1G P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A 200 W, 5-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 178-4397
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFS5A160PLZWFT1G
- Marke:
- onsemi
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 100 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 7,7 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.6V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.2V | |
| Verlustleistung max. | 200 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 6.1mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 160 nC @ 10 V | |
| Länge | 5.1mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.5V | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 100 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 7,7 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.6V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1.2V | ||
Verlustleistung max. 200 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 6.1mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 160 nC @ 10 V | ||
Länge 5.1mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Höhe 1.05mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.5V | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
- Ursprungsland:
- MY
On Semiconductor
Der on Semiconductor DFN5 P-Kanal-MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 60 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 7,7 mohm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat einen kontinuierlichen Ableitungsstrom von 100 A und eine maximale Verlustleistung von 200 W. Die minimale und maximale Treiberspannung für diesen MOSFET beträgt 4,5 V bzw. 10 V. Der MOSFET wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• KFZ-Leistungs-MOSFET
• Kompakte und effiziente Bauweise
• Hohe Wärmeleistung
• bleifrei (Pb)
• Niedriger RDS (ein) zur Minimierung von Leitungsverlusten
• Minimiert Treiberverluste
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.
• Option für benetzbare Flanke für verbesserte optische Inspektion erhältlich
• Kompakte und effiziente Bauweise
• Hohe Wärmeleistung
• bleifrei (Pb)
• Niedriger RDS (ein) zur Minimierung von Leitungsverlusten
• Minimiert Treiberverluste
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.
• Option für benetzbare Flanke für verbesserte optische Inspektion erhältlich
Anwendungen
• Automobilindustrie (Scheinwerfer, Karosseriesteuerung)
• Lastschalter für die Automobilindustrie
• Verpolter Batterieschutz für die Automobilindustrie
• Lastschalter für die Automobilindustrie
• Verpolter Batterieschutz für die Automobilindustrie
Zertifizierungen
• AEC-Q101
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007