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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Channel-Typ	N
	Dauer-Drainstrom max.	26 A
	Drain-Source-Spannung max.	60 V
	Gehäusegröße	DFN
	Montage-Typ	SMD
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand max.	28 mΩ
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max.	2.2V
	Gate-Schwellenspannung min.	1.2V
	Verlustleistung max.	19 W
	Gate-Source Spannung max.	±20 V
	Anzahl der Elemente pro Chip	2
	Breite	6.1mm
	Gate-Ladung typ. @ Vgs	2 nC @ 4,5 V
	Länge	5.1mm
	Betriebstemperatur max.	+175 °C
	Höhe	1.05mm
	Diodendurchschlagsspannung	1.2V
	Betriebstemperatur min.	–55 °C

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Channel-Typ N
	Dauer-Drainstrom max. 26 A
	Drain-Source-Spannung max. 60 V
	Gehäusegröße DFN
	Montage-Typ SMD
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand max. 28 mΩ
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max. 2.2V
	Gate-Schwellenspannung min. 1.2V
	Verlustleistung max. 19 W
	Gate-Source Spannung max. ±20 V
	Anzahl der Elemente pro Chip 2
	Breite 6.1mm
	Gate-Ladung typ. @ Vgs 2 nC @ 4,5 V
	Länge 5.1mm
	Betriebstemperatur max. +175 °C
	Höhe 1.05mm
	Diodendurchschlagsspannung 1.2V
	Betriebstemperatur min. –55 °C

Ursprungsland:: MY

Kommerzieller Leistungs-MOSFET in einem 5x6-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung.

Merkmale
Niedriger Einschaltwiderstand
Hohe Strombelastbarkeit
Kleine Abmessungen (5 x 6 mm)

Vorteile
Minimale Leitungsverluste.
Robustes Lastverhalten
Kompaktes Design
Anwendungen
Motorsteuerung
Synchron-DC/DC-Regler
Stromversorgung (Hochspannungstreiber, Niederspannungstreiber, H-Brücken usw.)
Akkuladung und -Schutz
Endprodukte
Akkupacks
Stromversorgungen
Rotationsdrohnen
Akkuwerkzeug
Power over Ethernet (PoE)

onsemi NTMFD5C680NLT1G N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 26 A 19 W, 8-Pin DFN