onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 42 A 30 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
178-4417
Herst. Teile-Nr.:
NVD5C478NT4G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

42 A

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

8,4 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

30 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Breite

6.22mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

6.73mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

14 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

2.25mm

Ursprungsland:
VN
Automobil-Leistungs-MOSFET in einem DPAK-Gehäuse mit kompaktem und effizientem Design und hoher Wärmeleistung. Für Automobilanwendungen geeignet.

Merkmale
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Hohe Strombelastbarkeit

PPAP-fähig

Vorteile
Minimale Leitungsverluste.
Robustes Lastverhalten
Spannungsüberlastungsschutz
Anwendungen
Treiber für Niederspannungsseite
Treiber für Hochspannungsseite
Motorantrieb
Endprodukte
Automobil-Antriebsstrang
Automobil-HLK-Motoren
ABS-Druckpumpen