onsemi NTHL Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 46 A 337 W, 3-Pin NTHL065N65S3F TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 178-4468
- Herst. Teile-Nr.:
- NTHL065N65S3F
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 46A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | NTHL | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 65mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 337W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 98nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 15.87mm | |
| Höhe | 20.82mm | |
| Breite | 4.82 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 46A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie NTHL | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 65mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 337W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 98nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 15.87mm | ||
Höhe 20.82mm | ||
Breite 4.82 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.
Features:
700V@TJ=150
Ultra Low Gate Charge (Typ.Qg=98nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ.Coss (eff.)=876pF)
Excellent body diode performance (lowQrr,robust body diode)
Optimized Capacitance
Typ. RDS(on)=54mΩ
Benefits:
Higher system reliability at low temperature operation
Lower switching loss
Higher system reliability in LLC and Phase shift fullbridge circuit
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Applications:
Telecommunication
Cloud system
Industrial
End Products:
Telecom power
Server power
EV charger
Solar/UPS