onsemi NTD5C434NT4G N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 160 A 120 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 178-4472
- Herst. Teile-Nr.:
- NTD5C434NT4G
- Marke:
- onsemi
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 6,572 € | 32,86 € |
| 10 - 95 | 5,598 € | 27,99 € |
| 100 - 245 | 4,476 € | 22,38 € |
| 250 - 495 | 4,356 € | 21,78 € |
| 500 + | 4,298 € | 21,49 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 178-4472
- Herst. Teile-Nr.:
- NTD5C434NT4G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 160 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V | |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 2,1 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 120 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V | |
| Länge | 6.73mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 80,6 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 6.22mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Höhe | 2.25mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 160 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 40 V | ||
Gehäusegröße DPAK (TO-252) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 2,1 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 120 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±20 V | ||
Länge 6.73mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 80,6 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 6.22mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Höhe 2.25mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
- Ursprungsland:
- VN
40 V, 2,1 m, 160 A, einzelner N-Kanal DPAK Power MOSFET
Leistungsmerkmale:
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Hohe Strombelastbarkeit
Vorteile:
Minimale Leitungsverluste.
Robustes Lastverhalten
Spannungsüberlastungsschutz
Anwendungen:
AC/DC-Leistungsumwandlung
DC/DC-Leistungsumwandlung
Motorantrieb
Endprodukte:
Akkuwerkzeug
Stromversorgung
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Hohe Strombelastbarkeit
Vorteile:
Minimale Leitungsverluste.
Robustes Lastverhalten
Spannungsüberlastungsschutz
Anwendungen:
AC/DC-Leistungsumwandlung
DC/DC-Leistungsumwandlung
Motorantrieb
Endprodukte:
Akkuwerkzeug
Stromversorgung