onsemi NTD5C434NT4G N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 160 A 120 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Bestandsabfrage leider nicht möglich
Verpackungsoptionen:

Alternative

Folgende mögliche Alternative können wir anbieten:

Stück (Auf einer Rolle von 2500)

10.820,00 €

(ohne MwSt.)

12.875,80 €

(inkl. MwSt.)

RS Best.-Nr.:
178-4472
Herst. Teile-Nr.:
NTD5C434NT4G
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

160 A

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

2,1 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

120 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Länge

6.73mm

Breite

6.22mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

80,6 nC @ 10 V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Höhe

2.25mm

Ursprungsland:
VN
40 V, 2,1 m, 160 A, einzelner N-Kanal DPAK Power MOSFET

Leistungsmerkmale:
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Hohe Strombelastbarkeit


Vorteile:
Minimale Leitungsverluste.
Robustes Lastverhalten
Spannungsüberlastungsschutz
Anwendungen:
AC/DC-Leistungsumwandlung
DC/DC-Leistungsumwandlung
Motorantrieb
Endprodukte:
Akkuwerkzeug
Stromversorgung

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.