onsemi NVMFD5C478NT1G N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 27 A 23 W, 8-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 178-4488
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFD5C478NT1G
- Marke:
- onsemi
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 1,288 € | 12,88 € |
| 100 - 490 | 0,902 € | 9,02 € |
| 500 - 990 | 0,81 € | 8,10 € |
| 1000 - 1490 | 0,788 € | 7,88 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 178-4488
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFD5C478NT1G
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- MY
Produktdetails
Automobil-Leistungs-MOSFET in einem 5-x-6-mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Inspektion. Für Automobilanwendungen geeignet.
Merkmale
Niedriger Einschaltwiderstand
Hohe Strombelastbarkeit
PPAP-fähig
NVMFD5C478NWF - Produkt mit benetzbaren Flanken
Vorteile
Minimale Leitungsverluste.
Robustes Lastverhalten
Für Automobilanwendungen geeignet
Verbesserte optische Prüfung
Anwendungen
Spulentreiber
Treiber für Niederspannungsseite/Hochspannungsseite
Endprodukte
Automobil-Motorsteuergeräte
Antiblockiersysteme
Niedriger Einschaltwiderstand
Hohe Strombelastbarkeit
PPAP-fähig
NVMFD5C478NWF - Produkt mit benetzbaren Flanken
Vorteile
Minimale Leitungsverluste.
Robustes Lastverhalten
Für Automobilanwendungen geeignet
Verbesserte optische Prüfung
Anwendungen
Spulentreiber
Treiber für Niederspannungsseite/Hochspannungsseite
Endprodukte
Automobil-Motorsteuergeräte
Antiblockiersysteme
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 27 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V |
| Gehäusegröße | DFN |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 17 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.5V |
| Verlustleistung max. | 23 W |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Länge | 5.1mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 6,3 nC @ 10 V |
| Breite | 6.1mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Höhe | 1.05mm |
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