onsemi NTD5C648NLT4G N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 91 A 76 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Alternative

Folgende mögliche Alternative können wir anbieten:

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onsemi NTD5C648NLT4G N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 91 A 76 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
RS Best.-Nr.
178-4311

Stück (Auf einer Rolle von 2500)

1,771 €

(ohne MwSt.)

2,107 €

(inkl. MwSt.)

RS Best.-Nr.:
178-4491
Herst. Teile-Nr.:
NTD5C648NLT4G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

91 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

4,1 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.1V

Gate-Schwellenspannung min.

1.2V

Verlustleistung max.

76 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Breite

6.22mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

6.73mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

17 nC @ 4,5

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

2.25mm

Ursprungsland:
VN
Leistungs-MOSFET, 60 V, 91 A, 4,1 mΩ, einfacher N-Kanal, DPAK, Logikebene

Leistungsmerkmale:
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Hohe Strombelastbarkeit

Vorteile:
Minimale Leitungsverluste.
Robustes Lastverhalten
Anwendungen:
AC/DC-Leistungsumwandlung
DC/DC-Leistungsumwandlung
Motorantrieb
Batteriemanagement
Endprodukte:
Akkuwerkzeug
Stromversorgung
Akkupacks