onsemi FDWS9509L-F085 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 65 A 107 W, 8-Pin PQFN8
- RS Best.-Nr.:
- 178-4501
- Herst. Teile-Nr.:
- FDWS9509L-F085
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 65 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V | |
| Gehäusegröße | PQFN8 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 8 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 107 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±16 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 5.9mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 48 nC @ 10 V | |
| Länge | 5.1mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.25V | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 65 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 40 V | ||
Gehäusegröße PQFN8 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 8 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 107 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±16 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 5.9mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 48 nC @ 10 V | ||
Länge 5.1mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.25V | ||
Höhe 1.1mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
- Ursprungsland:
- PH
P-Kanal, Logikebene Power Trench® MOSFET -40 V, 65 A, 8 mΩ
Typischer RDS(on) = 6,3 mΩ bei VGS = -10V, ID = -65 A
Typische Qg(Tot) = 48 nC bei VGS = -10V, ID = -65 A
UIS-Funktionen
Benetzbare Flanken für automatische optische Inspektion (AOI)
Anwendungen
Automobil-Motorsteuergeräte
Antriebsstrang-Management
Magnet- und Motortreiber
Elektronische Lenkung
Integrierter Anlasser/Lichtmaschine
Verteilte Stromversorgungsarchitekturen und VRM
Hauptschalter-Netzteile für 12-V-Systeme
Typische Qg(Tot) = 48 nC bei VGS = -10V, ID = -65 A
UIS-Funktionen
Benetzbare Flanken für automatische optische Inspektion (AOI)
Anwendungen
Automobil-Motorsteuergeräte
Antriebsstrang-Management
Magnet- und Motortreiber
Elektronische Lenkung
Integrierter Anlasser/Lichtmaschine
Verteilte Stromversorgungsarchitekturen und VRM
Hauptschalter-Netzteile für 12-V-Systeme